`anahtarlama` ile İlgili Madde Sonuçları

İzole Kapılı Bipolar Transistör (IGBT - Insulated Gate Bipolar Transistor), elektronik devrelerde kullanılan, Metal-Oksit Yarı İletken Alan Etkisi Transistörü (MOSFET) ve Bipolar Junction Transistör (BJT) özelliklerini birleştiren bir yarı iletken cihazıdır. Genellikle üç bacaklı bir yapıya sahip olan IGBT, yapısal olarak dört katmandan (P-N-P-N) oluşur ve MOS yapısı sayesinde kapı gerilimi ile kontrol edilir. Yüksek güçlü uygulamalarda kullanılan bu cihaz, hızlı anahtarlama özelliği ile elektro

Güç elektroniği, elektrik enerjisinin kontrol edilmesi, dönüştürülmesi ve düzenlenmesi ile ilgilenen bir mühendislik dalıdır. Bu alan, yarı iletken cihazlar, devre tasarımı, kontrol sistemleri ve enerji dönüşüm uygulamaları üzerine odaklanır. Güç elektroniği, yüksek güçlü elektrik sinyallerini düşük güçlü kontrol sinyalleriyle kontrol ederek elektrik enerjisinin: Dönüştürülmesini (örneğin, AC’den DC’ye veya tam tersi), Kontrol edilmesini (örneğin, motor hız kontrolü), Depolanmasını ve taşınmasın